Трансформатор на Бъдещето: Китайски Учени Създадоха 2D Транзистор, Който Превъзхожда Силиция
Изследователи от Пекинския университет са направили революционен пробив в технологиите с разработката на 2D транзистор, който е 40% по-бърз и 10% по-енергийно ефективен от най-новите 3-нанометрови силициеви чипове. Използвайки материали на базата на бисмут, този напредък преодолява ограниченията на силиция и може да прекрои бъдещето на полупроводниковата индустрия. Какво стои зад това постижение? Сбогом на…